2SC5200-O – Transistor NPN di potenza 230V / 15A contenitore TO-264

  • SKU: 1100-2SC5200-O
2SC5200-O - Transistor NPN di potenza 230V / 15A contenitore TO-264
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Transistor NPN di potenza 2SC5200-O con tensione di rottura 230V, corrente fino a 15A e package TO-264. Ideale per applicazioni ad alta potenza come amplificatori audio hi-fi, alimentatori e circuiti di potenza.

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SKU: 1100-2SC5200-O Categoria: Tags: , , , , , , , , , , ,
Il 2SC5200-O è un transistor NPN al silicio a giunzione diffusa ad alte prestazioni, progettato per applicazioni in cui sono richieste elevata tensione, corrente e stabilità termica. Grazie a una tensione di rottura VCEO di 230 V, una corrente di collettore fino a 15 A e una potenza dissipabile di 150 W, è adatto per impieghi ad alta potenza, come amplificatori audio hi-fi, alimentatori e circuiti di potenza generali.

La selezione classe “O” garantisce un guadagno coerente, ideale anche in configurazioni push-pull, in abbinamento al complementare 2SA1943-O. Con una frequenza di transizione di 30 MHz, bassa tensione di saturazione e ridotta capacità di uscita, assicura una risposta rapida e un’efficienza elevata.

Il contenitore TO-264 con ampia superficie di dissipazione lo rende adatto anche a condizioni di carico termico intenso.
Caratteristiche principali
  • Tipo: Transistor NPN al silicio a giunzione diffusa
  • Tensione collettore-emettitore (VCEO): 230 V min
  • Corrente di collettore (IC): 15 A
  • Potenza dissipabile (Pc): 150 W (Tc = 25°C)
  • Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)): 0,4 V tipica (IC = 8 A, IB = 0,8 A)
  • Frequenza di transizione (fT): 30 MHz tipica (VCE = 5 V, IC = 1 A)
  • Corrente di interdizione collettore (ICBO): 5 μA max (VCB = 230 V, IE = 0 A, Ta = 25°C)
  • Corrente di interdizione emettitore (IEBO): 5 μA max (VEB = 5 V, IC = 0 A, Ta = 25°C)
  • Capacità di uscita collettore (Cob): 200 pF (VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz)
  • Temperatura di giunzione (Tj): 150 °C
  • Contenitore: TO-264
  • Classe di guadagno: “O”
Documentazione Tecnica
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