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Finale mosfet di elevate prestazioni.Esclusivo rivestimento solido in alluminio, rifinito con cura
Finale mosfet di elevate prestazioni.Esclusivo rivestimento solido in alluminio, rifinito con cura. Stadio D-MOS IC di uscita di alta qualità.
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CARATTERISTICHE | |
– design high-end senza compromessi – ideale da posizionare vicino l’altoparlante (utilizzando cavi di ridotta lunghezza) – funzione di auto accensione quando viene rilevato un segnale di ingresso – funzione di auto standby quando non viene rilevato nessun segnale di ingresso – esclusivo rivestimento solido in alluminio, rifinito con cura – stadio D-MOS IC di uscita di alta qualità – munito di una capacità totale di supporto alla potenza di 40.000µF – relè di protezione in continua dell’altoparlante – munito di indicatore della distorsione Real Clipping – indicatore retroilluminato del livello di potenza in uscita – doppia protezione da sovrariscaldamento con indicatori a LED – collegamenti per altoparlanti di alta qualità e ingresso – protezione da sovraccarichi |
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SPECIFICHE | |
– Ingressi: – – sensibilità di ingresso per uscita massima: 0dBm (pari a 0.775Vrms) – – impedenza di ingresso: 15Kohm – – tensione minima di autoaccensione: 5mVrms – Uscite: – – massima potenza RMS di uscita a 4ohm: 90W – – massima potenza RMS di uscita a 8ohm: 70W – – potenza RMS dinamica di uscita a 4ohm: 125W – – minima impedenza di carico: 4 ohm – – damping factor (riferito a 8ohm 100Hz): maggiore di 1000 – Sezione audio: – – rapporto segnale/rumore (A-weighted ref. max. out): maggiore di 105dB – – distorsione armonica totale: 0.003% a 1kHz ref 1W – – risposta in frequenza: da 9Hz a 120kHz (-3dB) in 50W – Requisiti di potenza: dipendente dalla versione: – – alimentazione: 115V alternati (da 110V a 120V) oppure 230V alternati (da 220V a 240V) – – consumo energetico massimo: 100W – Dimensioni: 290 x 165 x 68 mm (11,4″ x 6,5″ x 2,7″) – Peso: 3,4kg (7,5Lbs) |