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MOSFET di potenza a canale N
SKU:
1110-IRF640
Categoria: MOSFET, Transistor, diodi
Tags: 1110-irf640, mosfet, mosfet canale n 200 volt 18a
MOSFET di potenza a canale N. Corrente massima di drain 18 A, tensione massima drain source 200 V, resistenza massima drain source 150 Mohm, tensione di soglia gate massima 4 V, tensione di soglia gate minima 2 V, tensione massima gate source ±20 V, tipo di package TO-220AB, numero pin 3, dissipazione di potenza massima 150 watt.
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